Fan-Out 扇出型封裝的興起

扇出（Fan-Out）的概念是相對於扇入（Fan-In）而言的，兩者都遵循類似的製程。當晶片被加工切割完畢之後，會放置在基於環氧樹脂模制化合物的晶圓上，這被稱為重構晶圓。然後,在模制化合物上形成再分佈層（RDL）。RDL是金屬銅連接走線，將封裝各個部分進行電氣連接。最後，重構晶圓上的單個封裝就會被切割。

兩者最大的差異就來自於RDL佈線。在扇入型封裝中，RDL向內佈線，而在扇出型封裝中，RDL既可向內又可向外佈線。其結果就是，扇入型封裝最大只能容許約200個I/O，而Fan-Out扇出型封裝可以實現更多的I/O。

FOWLP封裝技術

根據摩爾定律(Moore’s Law)：積體電路上可容納的晶體數目，約兩年（18個月）增加一倍。然而，自2013年開始，此發展就有趨緩的現象，半導體產業製程成本與風險逐漸提高，該如何延續、超越摩爾定律，成為業界艱難的挑戰。而FOWLP有十年以上的發展歷史，技術已臻成熟，成為備受討論的選項之一。

FOWLP技術應用在無線通訊裝置、汽車，以及智慧型手機等多元領域，能因應高階晶片所需要的I/O高密度需求，又不用使用IC基板，降低封裝厚度，因此吸引台積電等半導體大廠投入研發推廣。2017年市場規模約2億美元，預計2018年將成長至4億美元。

FOWLP技術原為德國Infineon Technologies所開發，FOWLP最大的特點在於，在尺寸相同的晶片下讓重分佈層範圍更廣，晶片腳數更多，單晶片可以整合更多功能，並達到無載板封裝、薄型化以及低成本等優點。然而一開始因良率未達期望，因此並未普及，但各大企業仍不放棄，自行改良優化，應用於手機等領域。如台積電以此技術為基礎，開發扇出型晶圓級封裝，生產蘋果iPhone 7/7Plus手機所需要的A10處理器。

半導體製造廠若能適當使用FOWLP封裝技術，可將前後段製程整合於直徑300毫米（mm）晶圓上的矽裸晶（Silicone Die），大幅降低生產成本。而且，無論是印刷載板、液晶面板用的玻璃載板都適用此技術。

資料來源: SEMI Taiwan